DSI75-08B
Nur als Referenz
| Teilenummer | DSI75-08B |
| PNEDA Teilenummer | DSI75-08B |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 800V 110A DO203AB |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.570 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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DSI75-08B Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DSI75-08B |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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DSI75-08B Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 800V |
| Current - Average Rectified (Io) | 110A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.17V @ 150A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 6mA @ 800V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Chassis, Stud Mount |
| Paket / Fall | DO-203AB, DO-5, Stud |
| Lieferantengerätepaket | DO-203AB |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -40°C ~ 180°C |
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 120V Current - Average Rectified (Io) 10A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 900mV @ 10A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 120V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
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