Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

DTB743ZMT2L

DTB743ZMT2L

Nur als Referenz

Teilenummer DTB743ZMT2L
PNEDA Teilenummer DTB743ZMT2L
Beschreibung TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
Hersteller Rohm Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.822
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 12 - Jul 17 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DTB743ZMT2L Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDTB743ZMT2L
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt
Datenblatt
DTB743ZMT2L, DTB743ZMT2L Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 395,52 KB)
PDFDTB743ZMT2L Datenblatt Cover
DTB743ZMT2L Datenblatt Seite 2 DTB743ZMT2L Datenblatt Seite 3 DTB743ZMT2L Datenblatt Seite 4 DTB743ZMT2L Datenblatt Seite 5 DTB743ZMT2L Datenblatt Seite 6 DTB743ZMT2L Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • DTB743ZMT2L Datasheet
  • where to find DTB743ZMT2L
  • Rohm Semiconductor

  • Rohm Semiconductor DTB743ZMT2L
  • DTB743ZMT2L PDF Datasheet
  • DTB743ZMT2L Stock

  • DTB743ZMT2L Pinout
  • Datasheet DTB743ZMT2L
  • DTB743ZMT2L Supplier

  • Rohm Semiconductor Distributor
  • DTB743ZMT2L Price
  • DTB743ZMT2L Distributor

DTB743ZMT2L Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
TransistortypPNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)200mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)30V
Widerstand - Basis (R1)4.7 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce140 @ 100mA, 2V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500nA
Frequenz - Übergang260MHz
Leistung - max150mW
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-723
LieferantengerätepaketVMT3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

UNR31AEG0L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

47 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

22 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

80MHz

Leistung - max

100mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-723

Lieferantengerätepaket

SSSMini3-F1

RN2309(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

47 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

22 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

200MHz

Leistung - max

100mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

USM

DTD713ZETL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Widerstand - Basis (R1)

1 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

140 @ 100mA, 2V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

260MHz

Leistung - max

150mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-75, SOT-416

Lieferantengerätepaket

EMT3

MUN2135T1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

230mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

Lieferantengerätepaket

SC-59-3

PDTA115EU,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

100 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

100 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SC-70

Kürzlich verkauft

GD25Q40CSIG

GD25Q40CSIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

NOR FLASH

BYW80-200G

BYW80-200G

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 200V 8A TO220-2

PMBT3904VS,115

PMBT3904VS,115

Nexperia

TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT666

MCP42050-E/SL

MCP42050-E/SL

Microchip Technology

IC DGTL POT 50KOHM 256TAP 14SOIC

USB2514BI-AEZG

USB2514BI-AEZG

Microchip Technology

IC CONTROLLER USB 36QFN

NAND256W3A2BN6E

NAND256W3A2BN6E

Micron Technology Inc.

IC FLASH 256M PARALLEL 48TSOP

MMSZ5231BT1G

MMSZ5231BT1G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123

SMCJ36CA

SMCJ36CA

Bourns

TVS DIODE 36V 58.1V SMC

MX25U3235FM2I-10G

MX25U3235FM2I-10G

Macronix

IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOP

EN5329QI

EN5329QI

Intel

DC DC CONVERTER 0.6-4.9V 10W

HX5008NLT

HX5008NLT

Pulse Electronics Network

TRANSFORMER MODULE GIGABIT 1PORT

74437349015

74437349015

Wurth Electronics

FIXED IND 1.5UH 8A 9 MOHM SMD