DTC143ECAT116
Nur als Referenz
| Teilenummer | DTC143ECAT116 |
| PNEDA Teilenummer | DTC143ECAT116 |
| Beschreibung | NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.168 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 29 - Jul 4 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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DTC143ECAT116 Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DTC143ECAT116 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt |
| Datenblatt |
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DTC143ECAT116 Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | * |
| Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 4.7 kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
| Frequenz - Übergang | 250MHz |
| Leistung - max | 200mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SST3 |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Transistortyp NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 22 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang 250MHz Leistung - max 150mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket EMT3 |
Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - Transistortyp NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang 150MHz Leistung - max 100mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-723 Lieferantengerätepaket SSSMini3-F1 |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Transistortyp NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1µA Frequenz - Übergang - Leistung - max 250mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket TO-236AB |
Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - Transistortyp NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 100 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang 150MHz Leistung - max 125mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-89, SOT-490 Lieferantengerätepaket SSMini3-F3 |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Transistortyp PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 20mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1µA Frequenz - Übergang - Leistung - max 200mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket SC-70 |
