Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

ECH8651R-TL-H

ECH8651R-TL-H

Nur als Referenz

Teilenummer ECH8651R-TL-H
PNEDA Teilenummer ECH8651R-TL-H
Beschreibung MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 2.448
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 22 - Mai 27 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

ECH8651R-TL-H Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerECH8651R-TL-H
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
ECH8651R-TL-H, ECH8651R-TL-H Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 304,66 KB)
PDFECH8651R-TL-HX Datenblatt Cover
ECH8651R-TL-HX Datenblatt Seite 2 ECH8651R-TL-HX Datenblatt Seite 3 ECH8651R-TL-HX Datenblatt Seite 4 ECH8651R-TL-HX Datenblatt Seite 5 ECH8651R-TL-HX Datenblatt Seite 6 ECH8651R-TL-HX Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • ECH8651R-TL-H Datasheet
  • where to find ECH8651R-TL-H
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor ECH8651R-TL-H
  • ECH8651R-TL-H PDF Datasheet
  • ECH8651R-TL-H Stock

  • ECH8651R-TL-H Pinout
  • Datasheet ECH8651R-TL-H
  • ECH8651R-TL-H Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • ECH8651R-TL-H Price
  • ECH8651R-TL-H Distributor

ECH8651R-TL-H Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)24V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs14mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max1.5W
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket8-ECH

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SQJB60EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1600pF @ 25V

Leistung - max

48W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8 Dual

19MT050XF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

HEXFET®

FET-Typ

4 N-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

31A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

220mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

160nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7210pF @ 25V

Leistung - max

1140W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

16-MTP Module

Lieferantengerätepaket

16-MTP

APTM100H80FT1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

4 N-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V (1kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

960mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3876pF @ 25V

Leistung - max

208W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

DMC25D0UVT-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V, 30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

400mA, 3.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 400mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.7nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

26.2pF @ 10V

Leistung - max

1.2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

TSOT-26

SQJ974EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1050pF @ 25V

Leistung - max

48W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8 Dual

Kürzlich verkauft

IS25CQ032-JBLE

IS25CQ032-JBLE

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC

IRLML2803TRPBF

IRLML2803TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23

SMBJ12CA-TR

SMBJ12CA-TR

STMicroelectronics

TVS DIODE 12V 25.3V SMB

ATMEGA128-16AU

ATMEGA128-16AU

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 128KB FLASH 64TQFP

2920L050DR

2920L050DR

Littelfuse

PTC RESET FUSE 60V 500MA 2920

11R472C

11R472C

Murata Power Solutions

FIXED IND 4.7UH 1.3A 90 MOHM TH

IRF7470PBF

IRF7470PBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC

SSC54-E3/57T

SSC54-E3/57T

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 5A DO214AB

IRFB13N50A

IRFB13N50A

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 500V 14A TO-220AB

AD8226ARZ-R7

AD8226ARZ-R7

Analog Devices

IC INST AMP 1 CIRCUIT 8SOIC

3224W-1-105E

3224W-1-105E

Bourns

TRIMMER 1M OHM 0.25W J LEAD TOP

MC68HC908GZ60CFA

MC68HC908GZ60CFA

NXP

IC MCU 8BIT 60KB FLASH 48LQFP