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ECH8659-TL-W

ECH8659-TL-W

Nur als Referenz

Teilenummer ECH8659-TL-W
PNEDA Teilenummer ECH8659-TL-W
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.578
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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ECH8659-TL-W Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerECH8659-TL-W
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
ECH8659-TL-W, ECH8659-TL-W Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 550,68 KB)
PDFECH8659-M-TL-H Datenblatt Cover
ECH8659-M-TL-H Datenblatt Seite 2 ECH8659-M-TL-H Datenblatt Seite 3 ECH8659-M-TL-H Datenblatt Seite 4 ECH8659-M-TL-H Datenblatt Seite 5

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ECH8659-TL-W Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate, 4V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.8nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds710pF @ 10V
Leistung - max1.3W
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SMD, Flat Lead
LieferantengerätepaketSOT-28FL/ECH8

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

350mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

28.5pF @ 30V

Leistung - max

320mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

4 N-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

46A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

123nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5600pF @ 25V

Leistung - max

357W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

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Hersteller

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-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.1nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

43pF @ 10V

Leistung - max

380mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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EPC

Hersteller

EPC

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.5A, 38A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 30V, 1200pF @ 30V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

FDC6420C

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A, 2.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.6nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

324pF @ 10V

Leistung - max

700mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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