Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

EFC6605R-TR

EFC6605R-TR

Nur als Referenz

Teilenummer EFC6605R-TR
PNEDA Teilenummer EFC6605R-TR
Beschreibung MOSFET 2N-CH EFCP
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $2,6689
250 ---------- $2,5438
500 ---------- $2,4187
1.000 ---------- $2,2936
2.500 ---------- $2,1894
5.000 ---------- $2,0851
Auf Lager 9.276
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 19 - Mai 24 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

EFC6605R-TR Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerEFC6605R-TR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
EFC6605R-TR, EFC6605R-TR Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 341,82 KB)
PDFEFC6605R-TR Datenblatt Cover
EFC6605R-TR Datenblatt Seite 2 EFC6605R-TR Datenblatt Seite 3 EFC6605R-TR Datenblatt Seite 4 EFC6605R-TR Datenblatt Seite 5 EFC6605R-TR Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • EFC6605R-TR Datasheet
  • where to find EFC6605R-TR
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor EFC6605R-TR
  • EFC6605R-TR PDF Datasheet
  • EFC6605R-TR Stock

  • EFC6605R-TR Pinout
  • Datasheet EFC6605R-TR
  • EFC6605R-TR Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • EFC6605R-TR Price
  • EFC6605R-TR Distributor

EFC6605R-TR Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate, 2.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19.8nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max1.6W
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-SMD, No Lead
Lieferantengerätepaket6-EFCP (1.9x1.46)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

EM6K1T2R

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

13pF @ 5V

Leistung - max

150mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

EMT6

SP8K31FRATB

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.2nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

SI1023CX-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

756mOhm @ 350mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

45pF @ 10V

Leistung - max

220mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SC-89-6

APTM50HM75FTG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

4 N-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

46A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

123nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5600pF @ 25V

Leistung - max

357W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

SP8K24FRATB

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

45V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21.6nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

Kürzlich verkauft

TAJA226K010RNJ

TAJA226K010RNJ

CAP TANT 22UF 10% 10V 1206

MC33161PG

MC33161PG

ON Semiconductor

IC MONITOR VOLTAGE UNIV 8DIP

MAX238CWG

MAX238CWG

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 4/4 24SOIC

NC7WZ00K8X

NC7WZ00K8X

ON Semiconductor

IC GATE NAND 2CH 2-INP US8

0251007.NRT1L

0251007.NRT1L

Littelfuse

FUSE BRD MNT 7A 125VAC/VDC AXIAL

ADM3202ARUZ

ADM3202ARUZ

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16TSSOP

MBRD1035CTLG

MBRD1035CTLG

ON Semiconductor

DIODE ARRAY SCHOTTKY 35V 5A DPAK

ADA4805-2ARMZ-R7

ADA4805-2ARMZ-R7

Analog Devices

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8MSOP

IHLP1212BZER1R5M11

IHLP1212BZER1R5M11

Vishay Dale

FIXED IND 1.5UH 3.8A 32 MOHM SMD

XC7A75T-2FGG676I

XC7A75T-2FGG676I

Xilinx

IC FPGA 300 I/O 676FBGA

SMBJ5.0CA-13-F

SMBJ5.0CA-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 5V 9.2V SMB

MPC8306SVMADDCA

MPC8306SVMADDCA

NXP

IC MPU MPC83XX 266MHZ 369BGA