EGF1B-E3/67A
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| Teilenummer | EGF1B-E3/67A |
| PNEDA Teilenummer | EGF1B-E3-67A |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 31.038 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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EGF1B-E3/67A Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | EGF1B-E3/67A |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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EGF1B-E3/67A Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | SUPERECTIFIER® |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 100V |
| Kapazität @ Vr, F. | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-214BA |
| Lieferantengerätepaket | DO-214BA (GF1) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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Hersteller Littelfuse Inc. Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1000V Current - Average Rectified (Io) 9.5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.6V @ 9.5A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 4µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 20µA @ 1000V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Isolated Tab Lieferantengerätepaket TO-220 Isolated Tab Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 125°C |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 60V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 610mV @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 50µA @ 60V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOD-123F Lieferantengerätepaket PMDU Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) 1720A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 200mA @ 4500V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall DO-200AD Lieferantengerätepaket BG-D10026K-1 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 140°C |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 875mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 25ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 2µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. 27pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AA, SMB Lieferantengerätepaket SMB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Infineon Technologies Serie CoolSiC™+ Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650V Current - Average Rectified (Io) 20A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 20A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 700µA @ 650V Kapazität @ Vr, F. 590pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
