EGF1BHE3/67A
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| Teilenummer | EGF1BHE3/67A |
| PNEDA Teilenummer | EGF1BHE3-67A |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.002 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 3 - Nov 8 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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EGF1BHE3/67A Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | EGF1BHE3/67A |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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EGF1BHE3/67A Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | SUPERECTIFIER® |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 100V |
| Kapazität @ Vr, F. | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-214BA |
| Lieferantengerätepaket | DO-214BA (GF1) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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Hersteller Sanken Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 90V Current - Average Rectified (Io) 700mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 810mV @ 700mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1mA @ 90V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall Axial Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 100mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 500mV @ 100mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 50µA @ 30V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 0201 (0603 Metric) Lieferantengerätepaket DSN0603-2, SOD-962, SMD0603 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1000V Current - Average Rectified (Io) 25A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.14V @ 25A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 1000V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263 (D2Pak) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Hersteller Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 780mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 40µA @ 30V Kapazität @ Vr, F. 20pF @ 25V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-76, SOD-323 Lieferantengerätepaket SOD-323 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650V Current - Average Rectified (Io) 50A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-2 Lieferantengerätepaket TO-247-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 175°C (Max) |
