EGP30A
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| Teilenummer | EGP30A |
| PNEDA Teilenummer | EGP30A |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.032 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 14 - Mai 19 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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EGP30A Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | EGP30A |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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EGP30A Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 50V |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 3A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 50V |
| Kapazität @ Vr, F. | 95pF @ 4V, 1MHz |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | DO-201AD, Axial |
| Lieferantengerätepaket | DO-201AD |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 150°C |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 550mV @ 5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 30V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AB, SMC Lieferantengerätepaket DO-214AB (SMC) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 120A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 650mV @ 120A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 4mA @ 20V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall D-67 Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 150V Current - Average Rectified (Io) 7.5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 950mV @ 7.5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 150V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 530mV @ 8A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 2mA @ 30V Kapazität @ Vr, F. 900pF @ 5V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AR, Axial Lieferantengerätepaket DO-204AR Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Powerex Inc. Serie - Diodentyp Standard, Reverse Polarity Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 100A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 2.3µs Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Stud Mount Paket / Fall DO-205AA, DO-8, Stud Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 125°C |
