Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

EMH1307-TL-H

EMH1307-TL-H

Nur als Referenz

Teilenummer EMH1307-TL-H
PNEDA Teilenummer EMH1307-TL-H
Beschreibung MOSFET P-CH 20V 6.5A EMH8
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 5.868
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 26 - Mai 31 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

EMH1307-TL-H Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerEMH1307-TL-H
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
EMH1307-TL-H, EMH1307-TL-H Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 548,91 KB)
PDFEMH1307-TL-H Datenblatt Cover
EMH1307-TL-H Datenblatt Seite 2 EMH1307-TL-H Datenblatt Seite 3 EMH1307-TL-H Datenblatt Seite 4 EMH1307-TL-H Datenblatt Seite 5 EMH1307-TL-H Datenblatt Seite 6 EMH1307-TL-H Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • EMH1307-TL-H Datasheet
  • where to find EMH1307-TL-H
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor EMH1307-TL-H
  • EMH1307-TL-H PDF Datasheet
  • EMH1307-TL-H Stock

  • EMH1307-TL-H Pinout
  • Datasheet EMH1307-TL-H
  • EMH1307-TL-H Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • EMH1307-TL-H Price
  • EMH1307-TL-H Distributor

EMH1307-TL-H Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs26mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13nC @ 4.5V
Vgs (Max)±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1100pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1.5W (Ta)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket8-EMH
Paket / Fall8-SMD, Flat Lead

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

APL502B2G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

58A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

15V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 29A, 12V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9000pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

730W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

T-MAX™ [B2]

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

SI7388DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.9W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8

TN5325N3-G

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

215mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

110pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

740mW (Ta)

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

FK3303010L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

12pF @ 3V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

100mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SSSMini3-F2-B

Paket / Fall

SOT-723

AUIRF7799L2TR

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

375A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

38mOhm @ 21A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

165nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6714pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

4.3W (Ta), 125W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DIRECTFET L8

Paket / Fall

DirectFET™ Isometric L8

Kürzlich verkauft

PS2501L-4-A

PS2501L-4-A

CEL

OPTOISOLTR 5KV 4CH TRANS 16-SMD

MMIX4B22N300

MMIX4B22N300

IXYS

TRANS BIPOLAR 3000V 38A MOSFET

ADM3222ARSZ

ADM3222ARSZ

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 20SSOP

NC7SZ19P6X

NC7SZ19P6X

ON Semiconductor

IC DECODER/DEMUX UHS 1OF2 SC70-6

MCP6004-I/SL

MCP6004-I/SL

Microchip Technology

IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14SOIC

S34ML01G200TFI000

S34ML01G200TFI000

SkyHigh Memory Limited

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

WSL0603R1000FEA18

WSL0603R1000FEA18

Vishay Dale

RES 0.1 OHM 1% 1/5W 0603

ST3485EBDR

ST3485EBDR

STMicroelectronics

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SO

MCP6002-E/SN

MCP6002-E/SN

Microchip Technology

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC

74VHC125TTR

74VHC125TTR

STMicroelectronics

IC BUF NON-INVERT 5.5V 14TSSOP

ESD9X5.0ST5G

ESD9X5.0ST5G

ON Semiconductor

TVS DIODE 5V 12.3V SOD923

CD143A-SR70

CD143A-SR70

Bourns

TVS DIODE 7V SOT143