Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

EPC2029

EPC2029

Nur als Referenz

Teilenummer EPC2029
PNEDA Teilenummer EPC2029
Beschreibung GANFET TRANS 80V 31A BUMPED DIE
Hersteller EPC
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 33.138
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 19 - Apr 24 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

EPC2029 Ressourcen

Marke EPC
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerEPC2029
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
EPC2029, EPC2029 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 1.664,05 KB)
PDFEPC2029 Datenblatt Cover
EPC2029 Datenblatt Seite 2 EPC2029 Datenblatt Seite 3 EPC2029 Datenblatt Seite 4 EPC2029 Datenblatt Seite 5 EPC2029 Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • EPC2029 Datasheet
  • where to find EPC2029
  • EPC

  • EPC EPC2029
  • EPC2029 PDF Datasheet
  • EPC2029 Stock

  • EPC2029 Pinout
  • Datasheet EPC2029
  • EPC2029 Supplier

  • EPC Distributor
  • EPC2029 Price
  • EPC2029 Distributor

EPC2029 Technische Daten

HerstellerEPC
SerieeGaN®
FET-TypN-Channel
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)80V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.48A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 12mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13nC @ 5V
Vgs (Max)+6V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1410pF @ 40V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketDie
Paket / FallDie

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRFH3702TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A (Ta), 42A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.1mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1510pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.8W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-PQFN (3x3)

Paket / Fall

8-PowerVDFN

IRF620L

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

800mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

260pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I2PAK

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

PSMN008-75B,118

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

122.8nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5260pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

230W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRF6215STRRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

290mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

66nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

860pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.8W (Ta), 110W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

AOD2210

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A (Ta), 18A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2065pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 100W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252, (D-Pak)

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Kürzlich verkauft

0452007.MRL

0452007.MRL

Littelfuse

FUSE BRD MNT 7A 72VAC 60VDC 2SMD

PCF8593P,112

PCF8593P,112

NXP

IC RTC CLK/CALENDAR I2C 8-DIP

BAV70LT1G

BAV70LT1G

ON Semiconductor

DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23

MPC8306SVMADDCA

MPC8306SVMADDCA

NXP

IC MPU MPC83XX 266MHZ 369BGA

T520V337M2R5ATE025

T520V337M2R5ATE025

KEMET

CAP TANT POLY 330UF 2.5V 2917

MIC47100YMME

MIC47100YMME

Microchip Technology

IC REG LINEAR POS ADJ 1A 8MSOP

MT25QL01GBBB8E12-0SIT

MT25QL01GBBB8E12-0SIT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 1G SPI 133MHZ 24TPBGA

CDRH2D14NP-2R2NC

CDRH2D14NP-2R2NC

Sumida

FIXED IND 2.2UH 1.6A 94 MOHM SMD

PIC18F6527-I/PT

PIC18F6527-I/PT

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 48KB FLASH 64TQFP

TEFT4300

TEFT4300

Vishay Semiconductor Opto Division

SENSOR PHOTO 925NM TOP VIEW RAD

0466005.NRHF

0466005.NRHF

Littelfuse

FUSE BOARD MNT 5A 32VAC/VDC 1206

SZNUP2105LT1G

SZNUP2105LT1G

ON Semiconductor

TVS DIODE 24V 44V SOT23-3