EPC2049ENGRT
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| Teilenummer | EPC2049ENGRT |
| PNEDA Teilenummer | EPC2049ENGRT |
| Beschreibung | GANFET TRANS 40V BUMPED DIE |
| Hersteller | EPC |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 14.964 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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EPC2049ENGRT Ressourcen
| Marke | EPC |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | EPC2049ENGRT |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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EPC2049ENGRT Technische Daten
| Hersteller | EPC |
| Serie | eGaN® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 16A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 15A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 6mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.6nC @ 5V |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 805pF @ 20V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | Die |
| Paket / Fall | Die |
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Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 77mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 634pF @ 40V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.6W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SuperSOT™-6 Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie TrenchMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.3nC @ 4.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1375pF @ 12V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 187W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket I-PAK Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 110A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.75mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 189nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10800pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.8W (Ta), 250W (Tc) Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-263 (D²Pak) Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
