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EPC2108

EPC2108

Nur als Referenz

Teilenummer EPC2108
PNEDA Teilenummer EPC2108
Beschreibung GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
Hersteller EPC
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Auf Lager 23.286
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 13 - Jun 18 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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EPC2108 Ressourcen

Marke EPC
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerEPC2108
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
EPC2108, EPC2108 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 2.556,05 KB)
PDFEPC2108 Datenblatt Cover
EPC2108 Datenblatt Seite 2 EPC2108 Datenblatt Seite 3 EPC2108 Datenblatt Seite 4 EPC2108 Datenblatt Seite 5 EPC2108 Datenblatt Seite 6 EPC2108 Datenblatt Seite 7 EPC2108 Datenblatt Seite 8 EPC2108 Datenblatt Seite 9 EPC2108 Datenblatt Seite 10

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EPC2108 Technische Daten

HerstellerEPC
SerieeGaN®
FET-Typ3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET-FunktionGaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V, 100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Leistung - max-
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall9-VFBGA
Lieferantengerätepaket9-BGA (1.35x1.35)

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.7nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

68mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

415pF @ 50V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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8-SOIC

2N7002DWKX-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

*

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

CAS300M12BM2

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

Z-FET™

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

423A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.7mOhm @ 300A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 15mA (Typ)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1025nC @ 20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11700pF @ 600V

Leistung - max

1660W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module, Screw Terminals

Lieferantengerätepaket

Module

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.2mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 15µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1470pF @ 25V

Leistung - max

41W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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