EPC2108
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| Teilenummer | EPC2108 |
| PNEDA Teilenummer | EPC2108 |
| Beschreibung | GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA |
| Hersteller | EPC |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 23.286 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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EPC2108 Ressourcen
| Marke | EPC |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | EPC2108 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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EPC2108 Technische Daten
| Hersteller | EPC |
| Serie | eGaN® |
| FET-Typ | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
| FET-Funktion | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V, 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1.7A, 500mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 22pF @ 30V, 7pF @ 30V |
| Leistung - max | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 9-VFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 9-BGA (1.35x1.35) |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 16A Rds On (Max) @ Id, Vgs 49mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 725pF @ 25V Leistung - max 32W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-1205, 8-LFPAK56 Lieferantengerätepaket LFPAK56D |
