ES2FHE3/5BT
Nur als Referenz
| Teilenummer | ES2FHE3/5BT |
| PNEDA Teilenummer | ES2FHE3-5BT |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.546 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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ES2FHE3/5BT Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ES2FHE3/5BT |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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ES2FHE3/5BT Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 300V |
| Current - Average Rectified (Io) | 2A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 2A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 300V |
| Kapazität @ Vr, F. | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-214AA, SMB |
| Lieferantengerätepaket | DO-214AA (SMB) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 12A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 680mV @ 12A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 40V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN, 5 Leads Lieferantengerätepaket 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 500mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 980mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 25ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. 4pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-219AB Lieferantengerätepaket DO-219AB (SMF) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 150mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 150mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) 4ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 2.5µA @ 75V Kapazität @ Vr, F. 2pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOD-123 Lieferantengerätepaket SOD-123 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
