F3L300R12ME4B22BOSA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | F3L300R12ME4B22BOSA1 |
| PNEDA Teilenummer | F3L300R12ME4B22BOSA1 |
| Beschreibung | IGBT MODULE VCES 650V 300A |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.844 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 15 - Mai 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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F3L300R12ME4B22BOSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | F3L300R12ME4B22BOSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
F3L300R12ME4B22BOSA1, F3L300R12ME4B22BOSA1 Datenblatt
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F3L300R12ME4B22BOSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Konfiguration | 2 Independent |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 450A |
| Leistung - max | 1550W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 300A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 19nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 69A Leistung - max 335W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 2.8nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Boost Chopper Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 170A Leistung - max 520W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.42V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 6.15nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket SP1 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Triple, Dual - Common Source Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Leistung - max 250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 4.62nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP6 Lieferantengerätepaket SP6-P |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 400A Leistung - max 940W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 18.5nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall D-3 Module Lieferantengerätepaket D3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration 2 Independent Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 450A Leistung - max 1150W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 400A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 26nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
