FCH190N65F-F155
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Teilenummer | FCH190N65F-F155 |
PNEDA Teilenummer | FCH190N65F-F155 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247 |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 2.430 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FCH190N65F-F155 Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module |
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Mfr. Artikelnummer | FCH190N65F-F155 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
FCH190N65F-F155, FCH190N65F-F155 Datenblatt
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FCH190N65F-F155 Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | FRFET®, SuperFET® II |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 20.6A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3225pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 208W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-247 Long Leads |
Paket / Fall | TO-247-3 |
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