FD6M016N03
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| Teilenummer | FD6M016N03 |
| PNEDA Teilenummer | FD6M016N03 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 80A EPM15 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.844 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FD6M016N03 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FD6M016N03 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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FD6M016N03 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | Power-SPM™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 80A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6mOhm @ 40A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 295nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 11535pF @ 15V |
| Leistung - max | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | EPM15 |
| Lieferantengerätepaket | EPM15 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6.2A (Ta), 15.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.9nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 647pF @ 10V Leistung - max 890mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 32V Leistung - max 1.29W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1184pF @ 15V Leistung - max - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8 |
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