FD800R33KF2CKNOSA1
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| Teilenummer | FD800R33KF2CKNOSA1 |
| PNEDA Teilenummer | FD800R33KF2CKNOSA1 |
| Beschreibung | IGBT MODULE VCES 1700V 800A |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.794 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 9 - Jul 14 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FD800R33KF2CKNOSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FD800R33KF2CKNOSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
FD800R33KF2CKNOSA1, FD800R33KF2CKNOSA1 Datenblatt
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FD800R33KF2CKNOSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | Single Chopper |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 3300V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Leistung - max | 9600W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 4.25V @ 15V, 800A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 5mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 100nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe - NTC-Thermistor - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 32A Leistung - max 62W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 20A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 1.1nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP3 Lieferantengerätepaket SP3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe - NTC-Thermistor - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Single Chopper Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1400A Leistung - max 7700W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 1400A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 82nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200A Leistung - max 350W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 6nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall SP1 Lieferantengerätepaket SP1 |
