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FDA24N50F

FDA24N50F

Nur als Referenz

Teilenummer FDA24N50F
PNEDA Teilenummer FDA24N50F
Beschreibung MOSFET N-CH 500V 24A TO-3
Hersteller ON Semiconductor
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FDA24N50F Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDA24N50F
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FDA24N50F, FDA24N50F Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 1.527,15 KB)
PDFFDA24N50F Datenblatt Cover
FDA24N50F Datenblatt Seite 2 FDA24N50F Datenblatt Seite 3 FDA24N50F Datenblatt Seite 4 FDA24N50F Datenblatt Seite 5 FDA24N50F Datenblatt Seite 6 FDA24N50F Datenblatt Seite 7 FDA24N50F Datenblatt Seite 8 FDA24N50F Datenblatt Seite 9 FDA24N50F Datenblatt Seite 10

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FDA24N50F Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieUniFET™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.24A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs200mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs85nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds4310pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)270W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-3PN
Paket / FallTO-3P-3, SC-65-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.95V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1781pF @ 12V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

79W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LFPAK56, Power-SO8

Paket / Fall

SC-100, SOT-669

NTMSD2P102LR2G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

FETKY™

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

750pF @ 16V

FET-Funktion

Schottky Diode (Isolated)

Verlustleistung (max.)

710mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IXFH80N15Q

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22.5mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

360W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXFH)

Paket / Fall

TO-247-3

SPI08N80C3

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

650mOhm @ 5.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 470µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

104W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO262-3

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

300V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

210A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.6mOhm @ 105A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

375nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

24200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

695W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-227B

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Kürzlich verkauft

PDS1040-13

PDS1040-13

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 40V 10A POWERDI5

CYUSB3014-BZXC

CYUSB3014-BZXC

Cypress Semiconductor

IC ARM9 USB3 CONTROLLER 121FBGA

STM32F091VBT6

STM32F091VBT6

STMicroelectronics

IC MCU 32BIT 128KB FLASH 100LQFP

LM2904AQTH-13

LM2904AQTH-13

Diodes Incorporated

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8TSSOP

219-2MSTR

219-2MSTR

CTS Electrocomponents

SWITCH SLIDE DIP SPST 100MA 20V

2N7002-7-F

2N7002-7-F

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3

AD623ANZ

AD623ANZ

Analog Devices

IC INST AMP 1 CIRCUIT 8DIP

SMBJ58A

SMBJ58A

Taiwan Semiconductor Corporation

TVS DIODE 58V 93.6V DO214AA

ESD9L3.3ST5G

ESD9L3.3ST5G

ON Semiconductor

TVS DIODE 3.3V 9V SOD923

DS2401P+T&R

DS2401P+T&R

Maxim Integrated

IC SILICON SERIAL NUMBER 6TSOC

HSMG-C680

HSMG-C680

Broadcom

LED GREEN CLEAR CHIP SMD R/A

STW14NM50

STW14NM50

STMicroelectronics

MOSFET N-CH 550V 14A TO-247