FDB86569-F085
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| Teilenummer | FDB86569-F085 |
| PNEDA Teilenummer | FDB86569-F085 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.568 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 5 - Mai 10 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FDB86569-F085 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FDB86569-F085 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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FDB86569-F085 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 80A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6mOhm @ 80A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2520pF @ 30V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 94W (Tj) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D²PAK (TO-263AB) |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 14A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 390mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 113nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3800pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 205W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-3P Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 |
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