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FDC6322C

FDC6322C

Nur als Referenz

Teilenummer FDC6322C
PNEDA Teilenummer FDC6322C
Beschreibung MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 5.058
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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FDC6322C Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDC6322C
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FDC6322C, FDC6322C Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 102,91 KB)
PDFFDC6322C Datenblatt Cover
FDC6322C Datenblatt Seite 2 FDC6322C Datenblatt Seite 3 FDC6322C Datenblatt Seite 4 FDC6322C Datenblatt Seite 5 FDC6322C Datenblatt Seite 6 FDC6322C Datenblatt Seite 7 FDC6322C Datenblatt Seite 8

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FDC6322C Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.220mA, 460mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs4Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.7nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds9.5pF @ 10V
Leistung - max700mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
LieferantengerätepaketSuperSOT™-6

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.6W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-XFBGA, FCBGA

Lieferantengerätepaket

EFCP1616-4CE-022

SQ9945AEY-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 3.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

2.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

PMDXB600UNEZ

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

600mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

620mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

21.3pF @ 10V

Leistung - max

265mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-XFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

DFN1010B-6

TPC8223-H,LQ(S

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1190pF @ 10V

Leistung - max

450mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

DMN4027SSD-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.9nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

604pF @ 20V

Leistung - max

1.8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

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