FDD24AN06LA0-F085
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| Teilenummer | FDD24AN06LA0-F085 |
| PNEDA Teilenummer | FDD24AN06LA0-F085 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 40A TO-252 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 96.546 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FDD24AN06LA0-F085 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FDD24AN06LA0-F085 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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FDD24AN06LA0-F085 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 7.1A (Ta), 40A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 40A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1850pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 75W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-252AA |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 61A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 7V Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 37A, 7V Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58nC @ 4.5V Vgs (Max) ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2500pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 89W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 850mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37.6nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 37W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220FI(LS) Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
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Hersteller Infineon Technologies Serie SIPMOS® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 230mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 0V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 160mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 26µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.9nC @ 5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 44pF @ 25V FET-Funktion Depletion Mode Verlustleistung (max.) 360mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-23-3 Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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