FDFMA3N109
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Teilenummer | FDFMA3N109 |
PNEDA Teilenummer | FDFMA3N109 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2 |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 177.084 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FDFMA3N109 Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | FDFMA3N109 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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FDFMA3N109 Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | PowerTrench® |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2.9A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 123mOhm @ 2.9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 220pF @ 15V |
FET-Funktion | Schottky Diode (Isolated) |
Verlustleistung (max.) | 1.5W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 6-MicroFET (2x2) |
Paket / Fall | 6-VDFN Exposed Pad |
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