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FDG6332C-F085

FDG6332C-F085

Nur als Referenz

Teilenummer FDG6332C-F085
PNEDA Teilenummer FDG6332C-F085
Beschreibung MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 258.606
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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FDG6332C-F085 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDG6332C-F085
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FDG6332C-F085, FDG6332C-F085 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 278,42 KB)
PDFFDG6332C-F085P Datenblatt Cover
FDG6332C-F085P Datenblatt Seite 2 FDG6332C-F085P Datenblatt Seite 3 FDG6332C-F085P Datenblatt Seite 4 FDG6332C-F085P Datenblatt Seite 5 FDG6332C-F085P Datenblatt Seite 6 FDG6332C-F085P Datenblatt Seite 7 FDG6332C-F085P Datenblatt Seite 8

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FDG6332C-F085 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.700mA, 600mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs300mOhm @ 700mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds113pF @ 10V
Leistung - max300mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketSC-88 (SC-70-6)

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Hersteller

Serie

NexFET™

FET-Typ

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1.04nF @ 12.5V, 2.51nF @ 12.5V

Leistung - max

12W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

8-VSON-CLIP (5x6)

APTC60AM35SCTG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

72A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 36A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

518nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14000pF @ 25V

Leistung - max

416W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

73mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

170pF @ 15V

Leistung - max

510mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-UDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

DFN2020-6

AO6601L

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.4A (Ta), 2.3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 3A, 10V, 135mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.34nC @ 4.5V, 4.8nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

390pF @ 15V, 409pF @ 15V

Leistung - max

1.15W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

SI6943BDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

800mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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