Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FDMA1027P

FDMA1027P

Nur als Referenz

Teilenummer FDMA1027P
PNEDA Teilenummer FDMA1027P
Beschreibung MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 4.320
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 19 - Jul 24 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FDMA1027P Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDMA1027P
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FDMA1027P, FDMA1027P Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 521,67 KB)
PDFFDMA1027P Datenblatt Cover
FDMA1027P Datenblatt Seite 2 FDMA1027P Datenblatt Seite 3 FDMA1027P Datenblatt Seite 4 FDMA1027P Datenblatt Seite 5 FDMA1027P Datenblatt Seite 6 FDMA1027P Datenblatt Seite 7 FDMA1027P Datenblatt Seite 8 FDMA1027P Datenblatt Seite 9

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • FDMA1027P Datasheet
  • where to find FDMA1027P
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor FDMA1027P
  • FDMA1027P PDF Datasheet
  • FDMA1027P Stock

  • FDMA1027P Pinout
  • Datasheet FDMA1027P
  • FDMA1027P Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • FDMA1027P Price
  • FDMA1027P Distributor

FDMA1027P Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePowerTrench®
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs120mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds435pF @ 10V
Leistung - max800mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-VDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket6-MicroFET (2x2)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

TC6320K6-G

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

110pF @ 25V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-VDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-DFN (4x4)

SQJ942EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A (Tc), 45A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7.8A, 10V, 11mOhm @ 10.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19.7nC @ 10V, 33.8nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

809pF @ 20V, 1451pF @ 20V

Leistung - max

17W, 48W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8

SI5935CDC-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

455pF @ 10V

Leistung - max

3.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

1206-8 ChipFET™

CMLDM7585 TR

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

650mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

230mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.58nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

100pF @ 16V

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-563

FDC6301N

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

220mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 400mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9.5pF @ 10V

Leistung - max

700mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

SuperSOT™-6

Kürzlich verkauft

74HC123D

74HC123D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC MULTIVIBRATR DUAL MONO 16SOIC

FDC5614P

FDC5614P

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 60V 3A SSOT-6

7508110151

7508110151

Wurth Electronics Midcom

WE-UNIT OFFLINE TRANSFORMER

SLF12575T-470M2R7-PF

SLF12575T-470M2R7-PF

TDK

FIXED IND 47UH 2.7A 52.8 MOHM

1N5335BRLG

1N5335BRLG

ON Semiconductor

DIODE ZENER 3.9V 5W AXIAL

NTGS5120PT1G

NTGS5120PT1G

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 60V 1.8A 6-TSOP

LT3045EDD#PBF

LT3045EDD#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR 0V 500MA 10DFN

BC33725TA

BC33725TA

ON Semiconductor

TRANS NPN 45V 0.8A TO-92

LM1458M

LM1458M

ON Semiconductor

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC

ADM3202ARUZ

ADM3202ARUZ

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16TSSOP

7A-8.000MBBK-T

7A-8.000MBBK-T

TXC

CRYSTAL 8.0000MHZ 20PF SMD

CMS05(TE12L,Q,M)

CMS05(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

DIODE SCHOTTKY 30V 5A MFLAT