FDMA3027PZ
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| Teilenummer | FDMA3027PZ |
| PNEDA Teilenummer | FDMA3027PZ |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 30V 3.3A MICRO |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 27.540 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 6 - Mai 11 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FDMA3027PZ Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FDMA3027PZ |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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FDMA3027PZ Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3.3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 87mOhm @ 3.3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 435pF @ 15V |
| Leistung - max | 700mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-VDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 6-MicroFET (2x2) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 2.5W Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket 6-CSP (1.77x3.54) |
Hersteller ON Semiconductor Serie * FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller IXYS Serie - FET-Typ 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 110A Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 115nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 24-SMD, Gull Wing Lieferantengerätepaket 24-SMD |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.8A, 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 188mOhm @ 900mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 88pF @ 10V Leistung - max 800mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket 6-MCPH |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 3.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.7nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 405pF @ 50V Leistung - max 1.25W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
