FDMD86100
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| Teilenummer | FDMD86100 |
| PNEDA Teilenummer | FDMD86100 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 100V |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.466 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 11 - Jul 16 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FDMD86100 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FDMD86100 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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FDMD86100 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 10A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2060pF @ 50V |
| Leistung - max | 2.2W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerWDFN |
| Lieferantengerätepaket | 8-Power 5x6 |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 1.25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.8nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 572pF @ 25V Leistung - max 27.8W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount, Wettable Flank Paket / Fall PowerPAK® 1212-8W Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8W Dual |
