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FDME1023PZT

FDME1023PZT

Nur als Referenz

Teilenummer FDME1023PZT
PNEDA Teilenummer FDME1023PZT
Beschreibung MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6-MICROFET
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 36.402
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Voraussichtliche Lieferung Jun 13 - Jun 18 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FDME1023PZT Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDME1023PZT
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FDME1023PZT, FDME1023PZT Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 338,04 KB)
PDFFDME1023PZT Datenblatt Cover
FDME1023PZT Datenblatt Seite 2 FDME1023PZT Datenblatt Seite 3 FDME1023PZT Datenblatt Seite 4 FDME1023PZT Datenblatt Seite 5 FDME1023PZT Datenblatt Seite 6 FDME1023PZT Datenblatt Seite 7 FDME1023PZT Datenblatt Seite 8 FDME1023PZT Datenblatt Seite 9

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FDME1023PZT Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePowerTrench®
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs142mOhm @ 2.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.7nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds405pF @ 10V
Leistung - max600mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-UFDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket6-MicroFET (1.6x1.6)

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

2 N-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

17A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

PG-TISON-8

DMN26D0UDJ-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

240mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.05V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14.1pF @ 15V

Leistung - max

300mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-963

Lieferantengerätepaket

SOT-963

AONX38168

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

XSPairFET™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

25A (Ta), 62A (Tc), 50A (Ta), 85A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 20A, 10V, 0.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.9V @ 250µA, 1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC, 85nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1.15nF, 4.52nF @ 12.5V

Leistung - max

3.1W (Ta), 20W (Tc), 3.2W (Ta), 69W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Lieferantengerätepaket

8-DFN (5x6)

SI4944DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 12.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

IRFHM792TR2PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

195mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.3nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

251pF @ 25V

Leistung - max

2.3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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