FDME1023PZT
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| Teilenummer | FDME1023PZT |
| PNEDA Teilenummer | FDME1023PZT |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6-MICROFET |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 36.402 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FDME1023PZT Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FDME1023PZT |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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FDME1023PZT Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2.6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 142mOhm @ 2.3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 405pF @ 10V |
| Leistung - max | 600mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-UFDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 6-MicroFET (1.6x1.6) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ 2 N-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket PG-TISON-8 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 240mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.05V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14.1pF @ 15V Leistung - max 300mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-963 Lieferantengerätepaket SOT-963 |
Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1755pF @ 25V Leistung - max 60W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount, Wettable Flank Paket / Fall 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8-10 |
