FDMS3600S
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| Teilenummer | FDMS3600S |
| PNEDA Teilenummer | FDMS3600S |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A 8-PQFN |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.868 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FDMS3600S Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FDMS3600S |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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FDMS3600S Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 15A, 30A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1680pF @ 13V |
| Leistung - max | 1W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Lieferantengerätepaket | Power56 |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
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