Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FDMS3660AS

FDMS3660AS

Nur als Referenz

Teilenummer FDMS3660AS
PNEDA Teilenummer FDMS3660AS
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 2.160
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 4 - Mai 9 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FDMS3660AS Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDMS3660AS
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FDMS3660AS, FDMS3660AS Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 488,93 KB)
PDFFDMS3660AS Datenblatt Cover
FDMS3660AS Datenblatt Seite 2 FDMS3660AS Datenblatt Seite 3 FDMS3660AS Datenblatt Seite 4 FDMS3660AS Datenblatt Seite 5 FDMS3660AS Datenblatt Seite 6 FDMS3660AS Datenblatt Seite 7 FDMS3660AS Datenblatt Seite 8 FDMS3660AS Datenblatt Seite 9 FDMS3660AS Datenblatt Seite 10 FDMS3660AS Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • FDMS3660AS Datasheet
  • where to find FDMS3660AS
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor FDMS3660AS
  • FDMS3660AS PDF Datasheet
  • FDMS3660AS Stock

  • FDMS3660AS Pinout
  • Datasheet FDMS3660AS
  • FDMS3660AS Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • FDMS3660AS Price
  • FDMS3660AS Distributor

FDMS3660AS Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePowerTrench®
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.13A, 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2230pF @ 15V
Leistung - max1W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerTDFN
LieferantengerätepaketPower56

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

PHN210T,118

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 20V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

APTM50DHM75TG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

46A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

123nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5600pF @ 25V

Leistung - max

357W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

SSM6L11TU(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

145mOhm @ 250MA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

268pF @ 10V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

UF6

SIZ730DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A, 35A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.3mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

830pF @ 15V

Leistung - max

27W, 48W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-PowerPair™

Lieferantengerätepaket

6-PowerPair™

ZXMN3A06N8TA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

Kürzlich verkauft

SMBJ12A

SMBJ12A

TVS DIODE 12V 19.9V SMB

CM1230-02CP

CM1230-02CP

ON Semiconductor

TVS DIODE 3.3V 9.8V 4WLCSP

FN2070-36-08

FN2070-36-08

Schaffner EMC

LINE FILTER 110/250VAC 36A CHASS

ADV7123KSTZ140

ADV7123KSTZ140

Analog Devices

IC DAC 10BIT A-OUT 48LQFP

ADUM1401ARWZ

ADUM1401ARWZ

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

LTST-C295KGKRKT

LTST-C295KGKRKT

Lite-On Inc.

LED GREEN/RED CLEAR CHIP SMD

SMBJ6V5A

SMBJ6V5A

Taiwan Semiconductor Corporation

TVS DIODE 6.5V 11.2V DO214AA

PIC18F2525-I/SO

PIC18F2525-I/SO

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 48KB FLASH 28SOIC

H22A4

H22A4

ON Semiconductor

SENSOR OPT SLOT PHOTOTRAN PC PIN

WSL0603R1000FEA18

WSL0603R1000FEA18

Vishay Dale

RES 0.1 OHM 1% 1/5W 0603

24LC32A-I/ST

24LC32A-I/ST

Microchip Technology

IC EEPROM 32K I2C 400KHZ 8TSSOP

DM74LS05N

DM74LS05N

ON Semiconductor

IC INVERTER 6CH 1-INP 14DIP