Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FDPC5030SG

FDPC5030SG

Nur als Referenz

Teilenummer FDPC5030SG
PNEDA Teilenummer FDPC5030SG
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V PWRCLIP56
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.434
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 20 - Mai 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FDPC5030SG Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDPC5030SG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FDPC5030SG, FDPC5030SG Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 366,08 KB)
PDFFDPC5030SG Datenblatt Cover
FDPC5030SG Datenblatt Seite 2 FDPC5030SG Datenblatt Seite 3 FDPC5030SG Datenblatt Seite 4 FDPC5030SG Datenblatt Seite 5 FDPC5030SG Datenblatt Seite 6 FDPC5030SG Datenblatt Seite 7 FDPC5030SG Datenblatt Seite 8 FDPC5030SG Datenblatt Seite 9 FDPC5030SG Datenblatt Seite 10 FDPC5030SG Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • FDPC5030SG Datasheet
  • where to find FDPC5030SG
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor FDPC5030SG
  • FDPC5030SG PDF Datasheet
  • FDPC5030SG Stock

  • FDPC5030SG Pinout
  • Datasheet FDPC5030SG
  • FDPC5030SG Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • FDPC5030SG Price
  • FDPC5030SG Distributor

FDPC5030SG Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePowerTrench®
FET-Typ2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.17A, 25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs5mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1715pF @ 15V
Leistung - max1W, 1.1W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerWDFN
LieferantengerätepaketPower Clip 56

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

ZXMHC3A01N8TC

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.17A, 1.64A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.9nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 25V

Leistung - max

870mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

SH8M11TB1

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

98mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.9nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

85pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

CSD87334Q3DT

Texas Instruments

Hersteller

Serie

NexFET™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 12A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.3nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1260pF @ 15V

Leistung - max

6W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

8-VSON (3.3x3.3)

UPA1950TE-T1-AT

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.9nC @ 4V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

220pF @ 10V

Leistung - max

1.15W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-95

Lieferantengerätepaket

SC-95

Hersteller

EPC

Serie

eGaN®

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A (Ta), 40A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

475pF @ 15V, 1960pF @ 15V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

Kürzlich verkauft

ATMEGA168PA-MUR

ATMEGA168PA-MUR

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 16KB FLASH 32VQFN

FC-12M 32.7680KA-A5

FC-12M 32.7680KA-A5

EPSON

CRYSTAL 32.768KHZ 12.5PF SMD

MAX3078EESA+T

MAX3078EESA+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOIC

PIC18F63J11-I/PT

PIC18F63J11-I/PT

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 8KB FLASH 64TQFP

SMBJ10A

SMBJ10A

Taiwan Semiconductor Corporation

TVS DIODE 10V 17V DO214AA

ATXMEGA32A4U-AU

ATXMEGA32A4U-AU

Microchip Technology

IC MCU 8/16BIT 32KB FLASH 44TQFP

AT90S1200-4SC

AT90S1200-4SC

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 1KB FLASH 20SOIC

MMBTA42LT3G

MMBTA42LT3G

ON Semiconductor

TRANS NPN 300V 0.5A SOT-23

SCMT22F505PRBA0

SCMT22F505PRBA0

CAPACITOR 5F 20% 5.5V THRU HOLE

SMBJ58A

SMBJ58A

Taiwan Semiconductor Corporation

TVS DIODE 58V 93.6V DO214AA

LTST-C190KGKT

LTST-C190KGKT

Lite-On Inc.

LED GREEN CLEAR CHIP SMD

TAJE687K006RNJ

TAJE687K006RNJ

CAP TANT 680UF 10% 6.3V 2917