FDPF2D3N10C
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| Teilenummer | FDPF2D3N10C |
| PNEDA Teilenummer | FDPF2D3N10C |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 222A TO220F |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.888 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FDPF2D3N10C Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FDPF2D3N10C |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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FDPF2D3N10C Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 222A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 700µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 152nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 11180pF @ 50V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 45W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220F |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 3.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.7nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 405pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.1W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-26 Paket / Fall SOT-23-6 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 15A (Ta), 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.2W (Ta), 28W (Tc) Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket MG-WDSON-2, CanPAK M™ Paket / Fall 3-WDSON |
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