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FDPF8N60ZUT

FDPF8N60ZUT

Nur als Referenz

Teilenummer FDPF8N60ZUT
PNEDA Teilenummer FDPF8N60ZUT
Beschreibung MOSFET N-CH 600V TO-220F-3
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 14.886
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 31 - Jun 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FDPF8N60ZUT Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDPF8N60ZUT
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FDPF8N60ZUT, FDPF8N60ZUT Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 700,33 KB)
PDFFDPF8N60ZUT Datenblatt Cover
FDPF8N60ZUT Datenblatt Seite 2 FDPF8N60ZUT Datenblatt Seite 3 FDPF8N60ZUT Datenblatt Seite 4 FDPF8N60ZUT Datenblatt Seite 5 FDPF8N60ZUT Datenblatt Seite 6 FDPF8N60ZUT Datenblatt Seite 7 FDPF8N60ZUT Datenblatt Seite 8 FDPF8N60ZUT Datenblatt Seite 9 FDPF8N60ZUT Datenblatt Seite 10

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FDPF8N60ZUT Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieUniFET™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.35Ohm @ 3.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1265pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)34.5W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220F
Paket / FallTO-220-3 Full Pack

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

120A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 5V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

17450pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

349W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

PHB20N06T,118

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20.3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

483pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

62W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STP6NK50Z

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

SuperMESH™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 2.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24.6nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

690pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

90W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

RDN150N20FU6

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1224pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

40W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220FN

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

FDS9400A

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.5nC @ 5V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

205pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Kürzlich verkauft

MB96F356RWBPMC-GSE2

MB96F356RWBPMC-GSE2

Cypress Semiconductor

IC MCU 16BIT 288KB FLASH 64LQFP

CNY75B

CNY75B

Vishay Semiconductor Opto Division

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

AD5447YRUZ

AD5447YRUZ

Analog Devices

IC DAC 12BIT A-OUT 24TSSOP

7A-8.000MBBK-T

7A-8.000MBBK-T

TXC

CRYSTAL 8.0000MHZ 20PF SMD

BLM18SG121TN1D

BLM18SG121TN1D

Murata

FERRITE BEAD 120 OHM 0603 1LN

MAX3232CSE+T

MAX3232CSE+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SO

AD9850BRSZ

AD9850BRSZ

Analog Devices

IC DDS 125MHZ 10BIT 28SSOP

MAX3491EESD+

MAX3491EESD+

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 14SOIC

BYW80-200G

BYW80-200G

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 200V 8A TO220-2

T491B106K025AT

T491B106K025AT

KEMET

CAP TANT 10UF 10% 25V 1411

595D336X0035R2T

595D336X0035R2T

Vishay Sprague

CAP TANT 33UF 20% 35V 2824

RCLAMP0524PATCT

RCLAMP0524PATCT

Semtech

TVS DIODE 5V 15V SLP2510P8