FDS6670A
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| Teilenummer | FDS6670A |
| PNEDA Teilenummer | FDS6670A |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 26.952 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 8 - Jul 13 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FDS6670A Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FDS6670A |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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FDS6670A Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 13A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 13A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2220pF @ 15V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 95mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.2nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 305pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.6W (Ta), 15.6W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket DFN2020MD-6 Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad |
Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.4V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 75W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8-34 Paket / Fall 8-PowerTDFN |
Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 140µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 176nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14000pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 188W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket PG-TO220-3-1 Paket / Fall TO-220-3 |
