FDS6890A
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| Teilenummer | FDS6890A |
| PNEDA Teilenummer | FDS6890A |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 72.996 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FDS6890A Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FDS6890A |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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FDS6890A Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 7.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 7.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2130pF @ 10V |
| Leistung - max | 900mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37.6nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1790pF @ 20V Leistung - max 1.8W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
