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FDS6900AS

FDS6900AS

Nur als Referenz

Teilenummer FDS6900AS
PNEDA Teilenummer FDS6900AS
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 4.176
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FDS6900AS Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDS6900AS
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FDS6900AS, FDS6900AS Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 282,21 KB)
PDFFDS6900AS Datenblatt Cover
FDS6900AS Datenblatt Seite 2 FDS6900AS Datenblatt Seite 3 FDS6900AS Datenblatt Seite 4 FDS6900AS Datenblatt Seite 5 FDS6900AS Datenblatt Seite 6 FDS6900AS Datenblatt Seite 7 FDS6900AS Datenblatt Seite 8 FDS6900AS Datenblatt Seite 9 FDS6900AS Datenblatt Seite 10 FDS6900AS Datenblatt Seite 11

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FDS6900AS Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePowerTrench®, SyncFET™
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6.9A, 8.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs27mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds600pF @ 15V
Leistung - max900mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.9A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 8.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.6nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

841pF @ 10V

Leistung - max

870mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16.6mOhm @ 7.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1161pF @ 15V

Leistung - max

48W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8 Dual

SI5902DC-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

1206-8 ChipFET™

APTSM120AM55CT1AG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual), Schottky

FET-Funktion

Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

74A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 40A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

272nC @ 20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5120pF @ 1000V

Leistung - max

470W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

APTM50TAM65FPG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

51A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

78mOhm @ 25.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7000pF @ 25V

Leistung - max

390W

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-40°C ~ 150°C (TJ)

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