FDS6982AS_G
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| Teilenummer | FDS6982AS_G |
| PNEDA Teilenummer | FDS6982AS_G |
| Beschreibung | MOSFET 2 N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SO |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.562 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FDS6982AS_G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FDS6982AS_G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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FDS6982AS_G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench®, SyncFET™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 6.3A, 8.6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 6.3A, 10V, 13.5mOhm @ 8.6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA, 3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 5V, 16nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 610pF @ 10V, 1250pF @ 10V |
| Leistung - max | 900mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A, 8.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 15V Leistung - max 700mW, 1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket 8-Power33 (3x3) |
Hersteller Advanced Linear Devices Inc. Serie EPAD® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET-Funktion Depletion Mode Drain to Source Voltage (Vdss) 10.6V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12mA, 3mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 540Ohm @ 0V Vgs (th) (Max) @ Id 3.45V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2.5pF @ 5V Leistung - max 500mW Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Serie NexFET™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Source FET-Funktion Logic Level Gate, 5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 39A Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.4mOhm @ 10A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.2nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2390pF @ 10V Leistung - max 2.5W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket 8-VSON (3.3x3.3) |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 4.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
