FDS6990AS
Nur als Referenz
| Teilenummer | FDS6990AS |
| PNEDA Teilenummer | FDS6990AS |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 49.314 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 15 - Jun 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FDS6990AS Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FDS6990AS |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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FDS6990AS Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench®, SyncFET™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 7.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 7.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 15V |
| Leistung - max | 900mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 880mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 260mOhm @ 880mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 155pF @ 20V Leistung - max 272mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5A, 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 51mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 10V Leistung - max 2W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
Hersteller NXP USA Inc. Serie * FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Vishay Siliconix Serie LITTLE FOOT® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.3A, 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 6.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1W, 1.25W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller Sanken Serie - FET-Typ 4 N-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs 175mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 10V Leistung - max 5W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 12-SIP Lieferantengerätepaket 12-SIP w/fin |
