FDS9933
Nur als Referenz
| Teilenummer | FDS9933 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | FDS9933 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 20V 5A 8SOIC | ||||||||||||||||||
| Hersteller | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 645 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 1 - Mai 6 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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FDS9933 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FDS9933 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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FDS9933 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 3.2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 825pF @ 10V |
| Leistung - max | 900mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
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Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 13A, 25A Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1765pF @ 15V Leistung - max 1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket Power56 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie CoolMOS™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion Super Junction Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 95A Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 47.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14400pF @ 25V Leistung - max 462W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP3 Lieferantengerätepaket SP3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 295mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 26pF @ 20V Leistung - max 250mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-88/SC70-6/SOT-363 |
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Hersteller EPC Serie eGaN® FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 23A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 7mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.8nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 830pF @ 30V Leistung - max - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
