FDV303N_NB9U008
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| Teilenummer | FDV303N_NB9U008 |
| PNEDA Teilenummer | FDV303N_NB9U008 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.078 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 6 - Mai 11 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FDV303N_NB9U008 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FDV303N_NB9U008 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
FDV303N_NB9U008, FDV303N_NB9U008 Datenblatt
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FDV303N_NB9U008 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 680mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.3nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | 8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 350mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23 |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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