FESB8ATHE3/81
Nur als Referenz
| Teilenummer | FESB8ATHE3/81 |
| PNEDA Teilenummer | FESB8ATHE3-81 |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.628 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FESB8ATHE3/81 Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FESB8ATHE3/81 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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FESB8ATHE3/81 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 50V |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 8A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 50V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | TO-263AB |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 45V Current - Average Rectified (Io) 200A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 650mV @ 200A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 5mA @ 20V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall D-67 Lieferantengerätepaket D-67 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 70V Current - Average Rectified (Io) 200mA (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 100mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) 4ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 100nA @ 50V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-76, SOD-323 Lieferantengerätepaket SOD-323 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650V Current - Average Rectified (Io) 6A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.55V @ 6A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 120µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. 219pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 175°C (Max) |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 3A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 400V Kapazität @ Vr, F. 30pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-201AD, Axial Lieferantengerätepaket DO-201AD Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -50°C ~ 150°C |
