FESB8BTHE3/81
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| Teilenummer | FESB8BTHE3/81 |
| PNEDA Teilenummer | FESB8BTHE3-81 |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.840 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FESB8BTHE3/81 Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FESB8BTHE3/81 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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FESB8BTHE3/81 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 8A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 100V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | TO-263AB |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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Hersteller IXYS Serie HiPerFRED™ Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 300V Current - Average Rectified (Io) 15A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.26V @ 15A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 1µA @ 300V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 8A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 140ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-PAK (TO-252AA) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Hersteller Micro Commercial Co Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 35A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 35A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. 100pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SRA Lieferantengerätepaket SRA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 550mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 30V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AA, SMB Lieferantengerätepaket DO-214AA (SMBJ) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
