FF200R12KE3B2HOSA1
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| Teilenummer | FF200R12KE3B2HOSA1 |
| PNEDA Teilenummer | FF200R12KE3B2HOSA1 |
| Beschreibung | MOD IGBT MED PWR 62MM-1 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.598 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 12 - Jun 17 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FF200R12KE3B2HOSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FF200R12KE3B2HOSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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FF200R12KE3B2HOSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | Half Bridge |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 295A |
| Leistung - max | 1050W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 200A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 5mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 14nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150A Leistung - max 595W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 7PM-HA Lieferantengerätepaket 7PM-HA |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 270A Leistung - max 1130W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 11nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Y3-DCB Lieferantengerätepaket Y3-DCB |
Hersteller Powerex Inc. Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 225A Leistung - max 1250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 225A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 20nF @ 10V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp - Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 85A Leistung - max 350W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 4mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 3.3nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall E2 Lieferantengerätepaket E2 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe - NTC-Thermistor - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
