FGA15S125P
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| Teilenummer | FGA15S125P |
| PNEDA Teilenummer | FGA15S125P |
| Beschreibung | IGBT 1250V 30A 136W TO3PN |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.364 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FGA15S125P Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGA15S125P |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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FGA15S125P Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1250V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 30A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 45A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.72V @ 15V, 15A |
| Leistung - max | 136W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 129nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-3P |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 225A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A Leistung - max 833W Schaltenergie 8620µJ (on), 11400µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 425nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 60ns/620ns Testbedingung 800V, 75A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 [L] |
