FGA40S65SH
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| Teilenummer | FGA40S65SH |
| PNEDA Teilenummer | FGA40S65SH |
| Beschreibung | 650V FS GEN3 TRENCH IGBT |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.454 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 23 - Mai 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FGA40S65SH Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGA40S65SH |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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FGA40S65SH Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.81V @ 15V, 40A |
| Leistung - max | 268W |
| Schaltenergie | 194µJ (on), 388µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 73nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 19.2ns/68.8ns |
| Testbedingung | 400V, 40A, 6Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-3PN |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 8A Leistung - max 99W Schaltenergie 70µJ (on), 145µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 19nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/95ns Testbedingung 400V, 8A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 60ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 31A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 62A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 15A Leistung - max 139W Schaltenergie 570µJ Eingabetyp Standard Gate Charge 76nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 32ns/234ns Testbedingung 400V, 15A, 21Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 279ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 200A Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 1110nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 135ns/640ns Testbedingung 600V, 200A, 2Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
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