FGA40T65SHDF
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| Teilenummer | FGA40T65SHDF |
| PNEDA Teilenummer | FGA40T65SHDF |
| Beschreibung | IGBT 650V 80A 268W TO-3PN |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.420 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FGA40T65SHDF Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGA40T65SHDF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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FGA40T65SHDF Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.81V @ 15V, 40A |
| Leistung - max | 268W |
| Schaltenergie | 1.22mJ (on), 440µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 68nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 18ns/64ns |
| Testbedingung | 400V, 40A, 6Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 101ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-3PN |
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 90A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 50A Leistung - max 300W Schaltenergie 1.1mJ (on), 600µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 130nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 60ns/190ns Testbedingung 300V, 50A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 100ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
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