FGA50N100BNTD2
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| Teilenummer | FGA50N100BNTD2 |
| PNEDA Teilenummer | FGA50N100BNTD2 |
| Beschreibung | IGBT 1000V 50A 156W TO3P |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.382 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 6 - Mai 11 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FGA50N100BNTD2 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGA50N100BNTD2 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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FGA50N100BNTD2 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT and Trench |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1000V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 200A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 60A |
| Leistung - max | 156W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 257nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 34ns/243ns |
| Testbedingung | 600V, 60A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-3P |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.91V @ 15V, 10A Leistung - max 101W Schaltenergie 29µJ (on), 200µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 21nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/79ns Testbedingung 400V, 10A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 62ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
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