FGAF40N60UFTU
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| Teilenummer | FGAF40N60UFTU |
| PNEDA Teilenummer | FGAF40N60UFTU |
| Beschreibung | IGBT 600V 40A 100W TO3PF |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.868 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 16 - Mai 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FGAF40N60UFTU Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGAF40N60UFTU |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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FGAF40N60UFTU Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 40A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 160A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 20A |
| Leistung - max | 100W |
| Schaltenergie | 470µJ (on), 130µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 77nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 15ns/65ns |
| Testbedingung | 300V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3P-3 Full Pack |
| Lieferantengerätepaket | TO-3PF |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 300V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 10A Leistung - max 44.6W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 65nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/130ns Testbedingung 200V, 20A, 20Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 22ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220F |
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