FGD3325G2-F085V
Nur als Referenz
| Teilenummer | FGD3325G2-F085V |
| PNEDA Teilenummer | FGD3325G2-F085V |
| Beschreibung | ECOSPARK 2 330MJ, 250V, N |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.560 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 23 - Mai 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FGD3325G2-F085V Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGD3325G2-F085V |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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FGD3325G2-F085V Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK® |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 250V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 41A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.25V @ 4V, 6A |
| Leistung - max | 150W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Logic |
| Gate Charge | 21nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 800ns/5.1µs |
| Testbedingung | 5V, 1kOhm |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.2µs |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | TO-252, (D-Pak) |
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Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 145A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 440A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 70A Leistung - max 400W Schaltenergie 1.9mJ (on), 2mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 143nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/120ns Testbedingung 360V, 70A, 2Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 140ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 24-PowerSMD, 21 Leads Lieferantengerätepaket 24-SMPD |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A Leistung - max 160W Schaltenergie 110µJ (on), 230µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 98nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/100ns Testbedingung 480V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Lieferantengerätepaket TO-262 |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.85V @ 15V, 20A Leistung - max 220W Schaltenergie 2.4mJ (on), 4.3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 105nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 36ns/251ns Testbedingung 960V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 84ns Betriebstemperatur -55°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie Alpha IGBT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 20A Leistung - max 340W Schaltenergie 940µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 67.5nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/152ns Testbedingung 600V, 20A, 15Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 25A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 12A Leistung - max 34W Schaltenergie 30µJ (on), 180µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 32nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 33ns/65ns Testbedingung 300V, 12A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 25ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220FL |
