FGD3N60LSDTM
Nur als Referenz
| Teilenummer | FGD3N60LSDTM |
| PNEDA Teilenummer | FGD3N60LSDTM |
| Beschreibung | IGBT 600V 6A 40W DPAK |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.578 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FGD3N60LSDTM Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGD3N60LSDTM |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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FGD3N60LSDTM Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 6A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 25A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.5V @ 10V, 3A |
| Leistung - max | 40W |
| Schaltenergie | 250µJ (on), 1mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 12.5nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 40ns/600ns |
| Testbedingung | 480V, 3A, 470Ohm, 10V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 234ns |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | D-Pak |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 20A Leistung - max 192W Schaltenergie 3.1mJ (on), 700µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 200nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 86ns/235ns Testbedingung 600V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
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